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INFINEON《IPA60R650CE》N沟道金属氧化物场效应晶体管

明佳达电子私服魔域全新原装供应:

INFINEONIPA60R650CE》N沟道金属氧化物场效应晶体管

一般信息

制造商:INFINEON

型号:IPA60R650CE

年份:18+

描述 MOSFET N-CH 600V TO-220-3

湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

标准包装  500

包装  管件  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 CoolMOS™ CE

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 650 毫欧 @ 2.4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 28W(Tc)

工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO220-FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

 

有意者请联系陈先生:

QQ:1668527835

电话:13410018555

公司魔域私服:http://whsvc.com.cn

实物图:IPA60R650CE

IPA60R650CE

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点击数:0 | 更新时间:2019-01-26 10:21:36
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